<legend id="ywqmc"><input id="ywqmc"></input></legend>
  • <legend id="ywqmc"><input id="ywqmc"></input></legend>
  • <tr id="ywqmc"><input id="ywqmc"></input></tr>
  • <legend id="ywqmc"></legend>
  • 欢迎访问扬州欣达电子有限公司网站! 关于我们 联系我们

    专注于薄膜开关,薄膜面板等研发与生产

    安全省心,有效控制成本

    img

    咨询电话:

    0514-86859177

    img

    咨询电话:

    13805251384

    您的位置:首页 > 新闻资讯 > 技术文章
    PRODUCT CENTER
    产品中心
    行业资讯
    企业动态
    技术文章
    咨询热线

    0514-86859177

    技术文章

    薄膜层一岛结合生长模式

     层状一岛状结合生长(又称Stranski-Krastanoy)模式。在最开始一两个原子层厚度的层状生长之后,生长模式转化为岛状模式。导致这种模式转变的物理机制较复杂,往往在基片和薄膜原子相互作用特别强的情况下,才容易出现这种生长模式。首先在基片表面生长1层一2层单原子层,这种二维结构强烈地受到基片晶格的影响,晶格常数有较大的畸变。然后再在这原子层上吸附入射原子,并以核生长的方式生成小岛,最终形成薄膜。在半导体表面上形成金属薄膜时,常常是这种层一岛生长型,如在Ge的表面蒸发Gd,在Si的表面蒸发Bi,Ag等都属这种类型。
    中文字幕被公侵犯的漂亮人妻 <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <文本链> <文本链> <文本链> <文本链> <文本链> <文本链>